[19a-Z25-1~8] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-Z25-1] Temperature dependence of impact ionization coefficients of electrons and holes in GaN

〇Takuya Maeda¹, Tetsuo Narita², Shinji Yamada^3,4, Tetsu Kachi³, Tsunenobu Kimoto¹, Masahiro Horita^1,3,5, Jun Suda^1,3,5 (1.Kyoto Univ., 2.Toyota Central R&D Labs., Inc., 3.Nagoya Univ. IMaSS, 4.ULVAC AIT, 5.Nagoya Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, Impact Ionization Coefficients, Avalanche Breakdown

パワーデバイスの耐圧や安全動作領域を予測するには電子・正孔の衝突イオン化係数を用いたデバイスシミュレーションが必要である．これまで我々は，Franz-Keldysh効果による光吸収を利用し，光電流の電圧依存性からアバランシェ増倍係数を求める測定方法を報告してきた．本研究では，GaN p⁻/n⁺接合ダイオードにバンドギャップより短波長/長波長の光を照射し，それらの光電流増倍を解析することで，衝突イオン化係数の温度依存性を求めたので報告する．