[19a-Z25-1~8] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-Z25-2] Electrical characterization of GaN/ScAlN/GaN heterostructure barrier diodes

〇Takuya Maeda¹, Joseph Casamento¹, Kazuki Nomoto¹, Huili Grace Xing¹, Debdeep Jena¹ (1.Cornell University)

Keywords:Scandium Aluminum Nitride (ScAlN), Heterostructure, Gallium Nitride (GaN)

Scandium Aluminum Nitride (ScAlN)は，高い圧電係数および高いCurie温度を有しており，高温用圧電センサーやRFフィルターの材料として期待されている．また，近年，明瞭な強誘電性を示すことが複数の機関より報告されている．これらの魅力的な物性を持つScAlNをGaNと組み合わせることで，例えば，ScAlN/GaN界面において分極誘起2DEGの増強/スイッチングが期待されるなど，圧電・強誘電性を活かした新機能デバイスが作製できる可能性がある．しかし，ScAlNの物性やGaNとのヘテロ接合の特性についてまだ詳細な研究がされていない．そこで，本研究では，GaN/ScAlN/GaNヘテロ接合の容量特性とキャリア輸送特性を調べたので報告する．