[19a-Z25-1~8] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-Z25-6] Experimental demonstration of GaN IMPATT diode at X-band

〇Seiya Kawasaki¹, Yuto Ando¹, Manato Deki^1,2, Hirotaka Watanabe³, Atsushi Tanaka^3,4, Shugo Nitta³, Yoshio Honda³, Manabu Arai³, Hiroshi Amano^2,3,4,5 (1.Nagoya Univ., 2.VBL, Nagoya Univ., 3.IMaSS, Nagoya Univ., 4.NIMS, 5.ARC, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, IMPATT diode, Avalanche breakdown

GaN IMPATT ダイオードはその高い絶縁破壊電界と高い電子飽和速度から、THz領域までに及ぶ，高出力高周波発振器として期待されている。しかし、これまでその実験的な報告はほとんどなかった。これまで我々は、理想的なアバランシェ降伏を示すGaN縦型p-nダイオードを報告してきた。そこで本研究ではXバンド帯におけるGaN p-nダイオードのIMPATT動作について検討を行った。その結果9.52 GHzでのパルス発振が得られ、その出力は最大で14.45 mWであった。