[19a-Z25-1~8] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-Z25-7] Characterization of GaN vertical npn phototoransistor

〇Ryusui Wada¹, Maito Shiraishi¹, Taisei Miyazaki¹, Masato Omori¹ (1.Oita Univ.)

Keywords:GaN, phototoransistor, vertical

GaNは紫外光検出器としても活用され、最近ではnpnフォトトランジスタ構造を利用した高感度な紫外光検出器の研究も進められている。一方、GaN自立基板の高品質化と大口径化が急速に発展してきたことで低転位のGaNホモエピタキシャル基板を利用した高性能な縦型デバイスの作製が可能となってきている。本研究ではこの自立GaN基板を用いてnpnフォトトランジスタ構造を作製し、紫外光照射による電気特性を評価した。