[19a-Z25-1~8] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-Z25-8] Electrical Characteristics of Gated-Anode Diodes using GaN HEMT with Recessed Gate Structure

〇Hidemasa Takahashi¹, Yuji Ando¹, Momoe Shojima³, Akio Wakejima³, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS, 3.Nagoya Institute of Technology)

Keywords:GaN, HEMT

レクテナの大電力高効率化に向けノーマリオフ型GaN HEMTを用いたゲーテッドアノード型ダイオード（GAD）を開発中である。埋め込みゲートリセス構造のGaN GADを作製し、電気的特性を調べた結果、４W/mmクラスの整流動作ができることを確認した。またワイドリセス構造に比較してI_fおよびBV_rが大きく改善することを示した。