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[19a-Z25-8] ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性
キーワード:窒化ガリウム、HEMT
レクテナの大電力高効率化に向けノーマリオフ型GaN HEMTを用いたゲーテッドアノード型ダイオード(GAD)を開発中である。埋め込みゲートリセス構造のGaN GADを作製し、電気的特性を調べた結果、4W/mmクラスの整流動作ができることを確認した。またワイドリセス構造に比較してIfおよびBVrが大きく改善することを示した。