[19p-P06-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-P06-5] Effect of Oxygen on Thermionic Emission Characteristics from High Al Composition AlGaN Thin Film

〇Takuya Fujimoto¹, Shigeya Kimura², Hisashi Yoshida², Hisao Miyazaki², Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Toshiba Corp.)

Keywords:AlGaN, Thermionic Emission, Oxygen

AlGaN熱電子放出特性の向上には、Al組成比を高くして仕事関数低減を低減するとともに、表面へ酸素およびアルカリ金属を配置して電気双極子を形成し電子親和力を下げることが有効である。一方で、Al空孔と酸素の複合体は結晶中に深いドナー準位を形成されることが報告されており、n型AlGaNのSiドープの不活性化が懸念される。本研究では、AlGaN薄膜内および表面における酸素原子が熱電子放出特性に及ぼす影響を検討する。