The 68th JSAP Spring Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.1 Ferroelectric thin films

[19p-Z13-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

Fri. Mar 19, 2021 1:30 PM - 5:15 PM Z13 (Z13)

Takeshi Kobayashi(AIST), Seiji Nakashima(Univ. of Hyogo)

1:45 PM - 2:00 PM

[19p-Z13-2] Temperature dependence of the ferroelectricity in (ScxAl1-x)N thin films

〇(M1C)Ryoichi Mizutani1, Shinnosuke Yasuoka1, Takao Shimizu2, Hiroshi Funakubo1 (1.Tokyo Tech., 2.NIMS)

Keywords:ferroelectricity, temperature dependence, thin films

(ScxAl1-x)Nはウルツ鉱構造を有し、c軸に沿って自発分極を持つ。2019年にFichtnerらによって(ScxAl1-x)Nが強誘電性を持つことが報告された。我々は、残留分極値はウルツ鉱構造で広く使われているuパラメータで制御できることを明らかにするとともに、膜厚9nmでも強誘電性が発現できることを明らかにしてきた。
しかし(ScxAl1-x)Nの強誘電性自身については、まだ十分な研究はなされていない。本研究では、分極反転挙動の温度依存性について調査したので報告する。