[19p-Z13-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19p-Z13-2] (Sc_xAl_1-x)N薄膜の強誘電性の温度依存性

〇(M1C)水谷 涼一¹、安岡 慎之介¹、清水 荘雄²、舟窪 浩¹ (1.東工大物院、2.物材研)

キーワード：強誘電体、温度依存性、薄膜

(Sc_xAl_1-x)Nはウルツ鉱構造を有し、c軸に沿って自発分極を持つ。2019年にFichtnerらによって(Sc_xAl_1-x)Nが強誘電性を持つことが報告された。我々は、残留分極値はウルツ鉱構造で広く使われているuパラメータで制御できることを明らかにするとともに、膜厚9nmでも強誘電性が発現できることを明らかにしてきた。
しかし(Sc_xAl_1-x)Nの強誘電性自身については、まだ十分な研究はなされていない。本研究では、分極反転挙動の温度依存性について調査したので報告する。