[19p-Z25-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-Z25-9] Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-HEMTs Scaled for Epitaxial Structures

〇Naoyuki Kishimoto¹, Yuto Isomae¹, Takuya Hayashi¹, Munemasa Kunisawa¹, Issei Watanabe^2,1, Yoshimi Yamashita², Ryuto Machida², Shinsuke Hara², Akifumi Kasamatsu², Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹ (1.Tokyo Univ. of Science, 2.NICT)

Keywords:semiconductor, HEMT

本研究では、Al_0.40In_0.60Sb/Ga_0.22In_0.78Sb-HEMTのエピ結晶におけるd_c及びd_s短縮によるゲート・チャネル間距離のスケーリング効果について、DC・RF特性評価及び遅延時間解析によって明らかにした。