[19p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-Z27-7] スパッタ法アニール処理AlN上AlGaNチャネルHEMTのMOVPE成長

〇(M1)森 隆一¹、上杉 謙次郎²、白土 達也¹、窪谷 茂幸²、正直 花奈子¹、三宅 秀人^1,3 (1.三重大院工、2.三重大地創戦略企、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：窒化物半導体、高電子移動度トランジスタ