[19p-Z29-1~13] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[19p-Z29-13] Structural consideration of self-interstitial-type defects in as-grown Si crystals

〇Eiji Kamiyama^1,2, Koji Sueoka² (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:silicon, crystal growth, Frank partial Dislocation Loop

格子間Siリッチ条件で育成したSi結晶において，しばしばミクロンオーダーで観察される典型的な転位クラスタや，その核となる面状{111}欠陥であるFrank partial Dislocation Loop (FDL) の存在が知られている．しかし，このFDLの成長過程については，十分に理解されているとは言えない．本報告では，第一原理計算で扱える範囲にて，FDL形態の解析とその形成過程についての考察を行う．