[19p-Z29-1~13] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [19p-Z29-12] Calculation of interstitial Si clusters in Si crystal using ANN potential (2)

〇(M1)Masato Ohbitsu¹, Tatsuya Yokoi², Yusuke Noda³, Eiji Kamiyama⁴, Takuto Ushiro¹, Hiroki Nagakura¹, Koji Sueoka⁴ (1.Graduate School of Engineering, Okayama Pref. Univ., 2.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 3.Kanazawa Gakuin Univ., 4.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:Machine Learning, interstitial Si clusters, first-principles calculation

本研究では，第一原理計算（DFT）の結果を学習データとして用い，新たに格子間Siクラスターの構造探索用のANN (Artificial Neural Network) ポテンシャルを作成した．ANNポテンシャルの利点を活かして，IクラスターからExtrinsic型積層欠陥へ至る過程の解明を目指すが，本発表では，ANNポテンシャルの計算精度の検証を目的として，DFTによる先行研究で見出されているIクラスターについて，その構造とエネルギーの再現を試みた結果を報告する．