[19p-Z29-1~13] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [19p-Z29-11] Large-scale atomic level calculation of vacancy clusters in Si crystal using ANN potential (2)

〇(M1)Takuto Ushiro¹, Tatsuya Yokoi², Yusuke Noda³, Eiji Kamiyama⁴, Masato Ohbitsu¹, Hiroki Nagakura¹, Koji Sueoka⁴ (1.Graduate School of Engineering, Okayama Pref. Univ., 2.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 3.Kanazawa Gakuin Univ., 4.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:silicon, vacancy, deep learning

シリコン結晶内の微小な欠陥は，実験で検出することが難しいため，計算機による解析が有効である．機械学習を用いて開発した原子間ポテンシャルでは，精度良く，かつ低い計算コストで解析を行うことができる．今回は，第一原理計算の学習データとして分子動力学法（DFT-MD）や表面モデルの計算結果を追加し，ANNポテンシャルの適用範囲の拡大と，さらなる精度の向上を目指した．