[19p-Z29-1~13] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[19p-Z29-2] Detection of Non-Radiative Recombination Levels in InGaN-LED Under Operation By Irradiating Below-Gap Excitation Light

〇(M1)Natsuki Chiyoda¹, Norihiko Kamata¹, Hiroyuki Yguchi¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:defect level, nonradiative recombination

窒化物半導体材料を用いた半導体デバイスはコスト面での優位性から、主にサファイア基板上でのエピタキシャル成長によって作られる。しかし、格子定数のミスマッチにより格子欠陥が発生しやすく、LED等の発光デバイスにおいてはこれが非発光再結合（NRR）準位としてはたらき発光効率を下げる原因となる。デバイスの効率向上にはNRR準位の検出・評価が重要であるため、UV-LED¹⁾に続いて二波長励起PL法の原理に基づきInGaN-LEDでのNRR準位の検出を試みた。