[19p-Z29-1~13] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[19p-Z29-8] Effects of X-irradiation and Thermal Annealing on Fe-doped GaN

〇Kaoru Akase¹, Yuya Hamasaki¹, Ayako Kai¹ (1.Yamaguchi Univ.,Graduate School of Sciences and Technology for Innovation)

Keywords:Fe-doped GaN, Electron Spin Resonance

GaN実用化の課題の一つとして結晶成長時にドナー型不純物が混入し低抵抗化するという問題があり、対策としてFeを意図的にドープし不純物からの電子を捕獲させる方法がある。しかし、高抵抗化には不純物濃度の10⁴倍程度のドープ量が必要であり、電子捕獲中心として機能していないFeが多く存在していると推測される。電子スピン共鳴（ESR）を用いて、ドープされたFeの存在状態、電子捕獲中心としての有効性、他の格子欠陥形成との関連性を調べた。