[19p-Z33-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19p-Z33-6] 固相結晶化In₂O₃:Hの結晶性及び電気特性制御とTFT応用

〇(M1)片岡 大樹¹、古田 守^1,2 (1.高工大、2.高工大ナノ研)

キーワード：酸化物半導体、固相結晶化、薄膜トランジスタ