[19p-Z33-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19p-Z33-8] W:SnO₂薄膜における高移動度の起源

〇福本 通孝¹、廣瀬 靖¹、中尾 祥一郎¹、木村 耕治²、林 好一²、杉澤 悠紀³、関場 大一郎³、長谷川 哲也¹ (1.東大院理、2.名工大、3.UTTAC)

キーワード：透明導電体、SnO2、高移動度