09:00 〜 09:15 [21a-C200-1] GaN (0001)自立基板上GaNのHVPE成長における表面カイネティクス 〇大西 一生1、藤元 直樹1、新田 州吾1、渡邉 浩崇1、本田 善央1、天野 浩1,2,3 (1.名大IMaSS、2.名大ARC、3.名大VBL)
09:45 〜 10:00 [21a-C200-4] ハライド気相成長法を用いたMg添加p型GaNの厚膜成長 〇大西 一生1、藤元 直樹1、新田 州吾1、渡邉 浩崇1、本田 善央1、天野 浩1,2,3 (1.名大IMaSS、2.名大ARC、3.名大VBL)