15:45 〜 16:00 [21p-C105-9] 低温下でのC-V測定によるInAs MOS界面の界面準位密度の評価 〇(M2)吉津 遼平1、隅田 圭1、トープラサートポン カシディット1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工)