15:30 〜 15:45 [22p-A307-8] 強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成における界面層厚の低減とMFSFETの動作特性に関する検討 〇田沼 将一1、Joong-Won Shin1、大見 俊一郎1 (1.東工大院工)