14:00 〜 14:15 △ [20p-A404-5] イオン注入法による単一シリコン欠陥中心内包ナノダイヤモンドの作製 〇鈴木 和樹1、嶋﨑 幸之介1、高島 秀聡1、阿部 浩之2、大島 武2、竹内 繁樹1 (1.京大院工、2.量研)