[20p-A404-1~18] 3.9 Optical quantum physics and technologies (formerly 3.10)

△ [20p-A404-5] Creation of single silicon-vacancy centers in nanodiamonds by ion implantation

〇Kazuki Suzuki¹, Konosuke Shimazaki¹, Hideaki Takashima¹, Hiroshi Abe², Takeshi Ohshima², Shigeki Takeuchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.QST)

Keywords:single photon source, SiV center, ion implantation

ナノダイヤモンド中のシリコン欠陥中心(SiVC)は、ゼロフォノン線への発光効率が70%と高く、高効率な単一光子源として期待されている。これまで我々は、分散させたナノダイヤモンドにSiイオンを注入する方法により、SiVC内包ナノダイヤモンドを作製、少数個のSiVCが含まれたサンプルの観測を報告した。この方法は、SiVCを形成したバルクダイヤモンドを粉砕する方法に比べ、高い収率を期待できる。今回我々は、イオン注入量の最適化等により、単一SiVC内包ナノダイヤモンドを作製したので報告する。