10:00 〜 10:15 [21a-C206-5] 制御した水分子吸着の履歴を持つGeO2/Ge型MOS構造の作製と評価 〇(M1)佐野 修斗1、和田 陽平1、川合 健太郎1、孫 栄硯1、山村 和也1、有馬 健太1 (1.阪大院工)