[21a-C206-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-C206-5] 制御した水分子吸着の履歴を持つGeO₂/Ge型MOS構造の作製と評価

〇(M1)佐野 修斗¹、和田 陽平¹、川合 健太郎¹、孫 栄硯¹、山村 和也¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：Ge酸化物、水分子吸着、MOS構造

GeO₂/Ge界面は、大気に触れると正の固定電荷が生成されることが知られている。そこで、大気中のガス分子の中でも水分子に着目した我々は、独自の装置を用い、制御された湿度雰囲気に曝された履歴を持つGeO₂/Ge界面の電気的性質をMOS構造の容量-電圧特性により評価することを試みた。その結果、GeO₂/Ge構造を暴露した湿度に応じて、容量-電圧特性が特徴的に変化することを確認した。