嘉数誠

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発表者・著者、共著者

2022年9月21日(水) 09:00 〜 12:30 M206 (マルチメディアホール)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

12:15 〜 12:30

[21a-M206-13] 3659 V, 0.37 A /mm 微傾斜ダイヤモンド上に作製した NO₂ドープダイヤモンド MOSFET

サハニロイチャンドラ¹、金聖祐²、小山浩司²、大石敏之¹、〇嘉数誠¹ (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石(株))