15:15 〜 15:30 △ [23p-C200-7] Eu添加GaN下地層の導入による (20-21)GaNテンプレート上InGaN量子井戸の表面平坦化と発光特性評価 〇竹尾 敦志1、市川 修平1,2、舘林 潤1、藤原 康文1 (1.阪大院工、2.阪大超高圧電顕センター)