[20a-B203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B203-2] ミストCVD法による管状炉内でのTi(acac)₄ミスト挙動

〇(M2)横山 工純¹、アブドゥル クドゥス¹、白井 肇¹ (1.埼玉大理工)

キーワード：ミストCVD、トレンチ基板、TiO2

前回までにミストCVD法によりTi(acac)₄を出発原料としたミストの供給時間t₁と閉じ込めt₂を繰り返す間歇供給によるトレンチ内への成膜について報告した。開口径/深さ（W/D）= 4/10 μmのトレンチではt₁= 4 min, t₂= 2 minまでの閉じ込め時間までは一様な成膜が確認できた。しかしW/D = 4/20 μmではStep coverage（SC）～0.6で飽和した。一方t₁= 16 minではSC～0.8まで改善した。以上の結果は、t₁とt₂時間内の挙動がトレンチ内の均一性を支配することを示唆する。今回は、ミストの管状炉内の粒度分布が成膜に与える影響についてシミュレーション結果と併せて議論する。