[20a-B204-1~11] 6.3 Oxide electronics

△ [20a-B204-3] Resistive Switching of RE Oxyhydrides by Electrical Insertion and Extraction of H⁻

〇Tomoyuki Yamasaki¹, Ryosei Takaoka², Soshi Iimura^1,3, Junghwan Kim¹, Hidenori Hiramatsu², Hideo Hosono^1,3 (1.Tokyo Tech. MCES, 2.Tokyo Tech. MSL, 3.NIMS)

Keywords:Resistive switching, Hydride ion, Ion conduction

ヒドリドイオン(H⁻)と酸化物イオンを含む酸水素化物は、酸素/水素比や水素欠損量に応じて、電子伝導度とH⁻伝導度の両方が大幅に変化する。これら固体中のイオンの伝導や欠損による抵抗変化は、抵抗変化メモリ(ReRAM)やシナプス素子への応用が期待できる。本発表ではREH_xO_(3−x)/2(RE = La or Y)へのH⁻脱挿入に伴う電気伝導度の変化とそれを利用したReRAM特性について報告する。