[20a-B204-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-B204-3] ヒドリドイオンの電気的脱挿入を用いた酸水素化物の抵抗変化と抵抗変化メモリへの応用

〇山崎 智之¹、高岡 遼生²、飯村 壮史^1,3、金 正煥¹、平松 秀典²、細野 秀雄^1,3 (1.東工大元素、2.東工大フロンティア、3.NIMS)

キーワード：抵抗変化、ヒドリドイオン、イオン伝導

ヒドリドイオン(H⁻)と酸化物イオンを含む酸水素化物は、酸素/水素比や水素欠損量に応じて、電子伝導度とH⁻伝導度の両方が大幅に変化する。これら固体中のイオンの伝導や欠損による抵抗変化は、抵抗変化メモリ(ReRAM)やシナプス素子への応用が期待できる。本発表ではREH_xO_(3−x)/2(RE = La or Y)へのH⁻脱挿入に伴う電気伝導度の変化とそれを利用したReRAM特性について報告する。