[20a-B204-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-B204-8] 酸化物半導体薄膜を用いた室温近傍での水素ガスセンシング(３)；
Pt あるいは Pd ナノ粒子担持 Al:ZnO 薄膜による ガスセンシング

〇遠藤 雅之¹、曽根 大希¹、柏木 誠¹、賈 軍軍²、小口 有希¹、中村 明³、重里 有三¹ (1.青学大理工、2.早大国際理工、3.ミネベアミツミ（株）)

キーワード：水素ガスセンシング

水素ガス検知薄膜としてdcスパッタ製膜したAlドープZnO(AZO)に着目した。PdやPtのナノ粒子をAZO膜表面に触媒として担持した。これらのナノ粒子はVolmer-Weber型成長における薄膜成長初期過程で島状構造が形成されることを応用しrfスパッタ法により作製した。様々な作動温度におけるガス検知特性を調べたところ、200～350℃でPd, Ptナノ粒子被覆率が約50％のものが優れた特性を示した。