[20a-C101-1~13] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

[20a-C101-6] Analysis of resist charging in electron beam lithography

〇(M2)Yoshinobu Kono¹, Nishiguchi Akio¹, Kotera Masatoshi¹ (1.Osaka Inst.)

Keywords:semiconductor, electron beam lithography, LSI

我々は、フォトマスク上レジストの電子ビームリソグラフィにおいて、電子ビーム照射されたレジストが帯電しない条件を発見した。
具体的には、加速電圧30kVでは露光量が約10μC/cm^2と約200μC/cm^2の条件でレジスト表面はほぼ無帯電となる。
我々はこれらの条件において、帯電のプロセスを説明するモデルを構築した。
そのモデルに基づき、無帯電とされる条件で観察される微妙な表面電位の変化について考察する。