[20a-C101-1~13] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[20a-C101-6] 電子ビームリソグラフィにおけるレジスト帯電の分析

〇(M2)河野 由伸¹、西口 彰夫¹、小寺 正敏¹ (1.大工大工)

キーワード：半導体、電子ビームリソグラフィ、LSI

我々は、フォトマスク上レジストの電子ビームリソグラフィにおいて、電子ビーム照射されたレジストが帯電しない条件を発見した。
具体的には、加速電圧30kVでは露光量が約10μC/cm^2と約200μC/cm^2の条件でレジスト表面はほぼ無帯電となる。
我々はこれらの条件において、帯電のプロセスを説明するモデルを構築した。
そのモデルに基づき、無帯電とされる条件で観察される微妙な表面電位の変化について考察する。