[20p-A404-1~18] 3.9 光量子物理・技術（旧3.10）

△ [20p-A404-5] イオン注入法による単一シリコン欠陥中心内包ナノダイヤモンドの作製

〇鈴木 和樹¹、嶋﨑 幸之介¹、高島 秀聡¹、阿部 浩之²、大島 武²、竹内 繁樹¹ (1.京大院工、2.量研)

キーワード：単一光子源、シリコン欠陥中心、イオン注入

ナノダイヤモンド中のシリコン欠陥中心(SiVC)は、ゼロフォノン線への発光効率が70%と高く、高効率な単一光子源として期待されている。これまで我々は、分散させたナノダイヤモンドにSiイオンを注入する方法により、SiVC内包ナノダイヤモンドを作製、少数個のSiVCが含まれたサンプルの観測を報告した。この方法は、SiVCを形成したバルクダイヤモンドを粉砕する方法に比べ、高い収率を期待できる。今回我々は、イオン注入量の最適化等により、単一SiVC内包ナノダイヤモンドを作製したので報告する。