[20p-A406-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[20p-A406-5] Characteristics of AlN Film Deposited by Minimal Fab Reactive Sputtering Tool (3)

〇Shuichi Noda¹, Yuuki Yabuta³, Naoko Yamamoto³, Ryuichiro Kamei³, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.Seinan-Kogyo)

Keywords:minimalfab, AlN, reactive sputter

高温ステージ（～400℃）を備えたミニマル反応性スパッタ装置を用いてc軸配向する良好なAlN膜（(002)面ロッキングカーブ（RC）半値幅＜4°)を実現している。しかし、一定期間装置を停止するなどすると、十分なベークアウト、シーズニングにより同等な光学屈折率や多結晶構造（X線回折スペクトル）が再現するにも関わらす、RC半値幅がなかなか回復しない問題が顕在化してきた。この原因について検討した。