[20p-B201-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-B201-4] Dependence of small off angle of GaN free-standing substrate on RF-MBE growth of GaN

〇Takumi Sakakibara¹, Deura Momoko², Mouri Shinichiro¹, Araki Tsutomu¹ (1.Col. of Sci. & Eng., Ritsumeikan Univ., 2.R-GIRO, Ritsumeikan Univ.)

Keywords:Gallium nitride, Off angle

窒化物半導体エピタキシャル成長層の高品質化のためには、GaNなどの自立基板の使用が望ましい。GaN自立基板の作製技術は進展しているが、解決すべき課題もまだ多い。本研究では、c面ジャストGaN基板の微小オフ角の面内ばらつきが、GaN成長に与える影響を調べた。2インチGaN自立基板をカットし、それぞれのオフ角・オフ方向を求めた。また、RF-MBEによりGaNを成長し、成長層の結晶配向性や表面平坦性を評価した。オフ角・オフ方向ともに面内でばらつきを持っており、このような微小オフ角はエピタキシャル成長層の配向性には顕著な影響を与えないが、表面平坦性には大きく影響することが分かった。