[20p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-B201-4] GaNのRF-MBE成長におけるGaN自立基板の微小オフ角依存性

〇榊原 匠海¹、出浦 桃子²、毛利 真一郎¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO)

キーワード：窒化ガリウム、オフ角

窒化物半導体エピタキシャル成長層の高品質化のためには、GaNなどの自立基板の使用が望ましい。GaN自立基板の作製技術は進展しているが、解決すべき課題もまだ多い。本研究では、c面ジャストGaN基板の微小オフ角の面内ばらつきが、GaN成長に与える影響を調べた。2インチGaN自立基板をカットし、それぞれのオフ角・オフ方向を求めた。また、RF-MBEによりGaNを成長し、成長層の結晶配向性や表面平坦性を評価した。オフ角・オフ方向ともに面内でばらつきを持っており、このような微小オフ角はエピタキシャル成長層の配向性には顕著な影響を与えないが、表面平坦性には大きく影響することが分かった。