[20p-B201-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-B201-6] Initial growth mechanism of InN in DERI method by RF-MBE

〇Yasuhiro Yamada¹, Ryosuke Nakamura¹, Naoki Goto¹, Shinichiro Mouri¹, Momoko Deura², Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ., 2.R-GIRO)

Keywords:Transmission electron microscope, InN, DERI method

InNのMBE成長ではV/III比制御が重要であり、Inリッチ条件ではInドロップレットの発生が、窒素リッチ条件では3次元成長による表面荒れが生じる。そこで我々は、高品質InNを再現性よく成長する手法としてDERI法を提案している。しかしDERI法の詳細な成長機構は解明されていない。そこで今回はDERI法のMRGPに着目し、TEMなどの評価装置を用い、InNの初期成長機構を調べた。