[20p-B201-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [20p-B201-7] Fabrication of sputtering-regrown highly degenerate n⁺-AlGaN ohmic contacts on AlN/Al_xGa_1-xN heterostructure

〇(D)Ryota Maeda¹, Yuto Nishikawa¹, Kohei Ueno¹, Atsushi Kobayashi¹, Hiroshi Fujioka¹ (1.IIS, UTokyo)

Keywords:AlGaN, AlN, Sputtering

次世代高耐圧高出力電子デバイスとして、AlGaN混晶中に誘起される二次元電子ガスを利用した高電子移動度トランジスタ(AlGaN HEMT)が期待されている。しかしながらAlGaNチャネル層の電子親和力はAl組成の増加に伴い小さくなるため、低抵抗のオーミック接触形成が困難である。本研究では、AlGaN HEMTの接触抵抗の低減に向けて高濃度Si添加n型AlGaN薄膜の位置選択的再成長エピ技術について検討を行った。