[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-7] Nイオン注入したβ-Ga₂O₃(001)試料の活性化アニール : Faceup配置

〇(M1)松田 彪雅¹、三木 隼之介¹、飯村 隆介²、唐 佳藝¹、佐々木 公平²、倉又 朗人²、三木 一司¹ (1.兵庫県立大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：ワイドギャップ半導体、酸化ガリウム、p型ドーパント

β-Ga₂O₃ではp型ドーパントの探索手法として、イオン注入法を用いた1200℃までの活性化アニールが行われており、この温度を越えた活性化アニールでのキャリア発生があるか注目されている。高温アニールを阻むのは、窒素雰囲気でも形成される表面高抵抗層である。そこで、表面高抵抗層形成の抑制方法として、face to face配置を導入し1200℃を越えた活性化アニールを試みた。