[20p-C101-1~17] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20p-C101-10] Characterization of Cat-CVD SiN_x films deposited at various substrate temperatures before and after fire-through annealing

〇Ryoichi Ishikawa¹, Huynh Tu Thi Cam¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:silicon nitride, Fire-through, Film density

Cat-CVDで基板温度を変えて堆積したSiN_x膜にファイヤースルー前後の膜物性の変化を調査した。堆積時基板温度の増加ともに、膜密度が増加する傾向が確認を確認した。また、ファイヤースルーによる膜の緻密化にともなう膜密度の増大が予想されたが、今回の結果からは確認できなかった。SiN_x膜の堆積時基板温度の増加、およびファイヤースルー温度の上昇に伴い、水素含有量の減少がみられ、高温による水素脱離が大きいことが示唆される。