[20p-C101-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-C101-10] 異なる基板温度で堆積したCat-CVD SiN_x膜のファイヤースルー前後の膜特性評価

〇石川 凌一¹、Huynh Tu Thi Cam¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：窒化シリコン、ファイヤースルー、膜密度

Cat-CVDで基板温度を変えて堆積したSiN_x膜にファイヤースルー前後の膜物性の変化を調査した。堆積時基板温度の増加ともに、膜密度が増加する傾向が確認を確認した。また、ファイヤースルーによる膜の緻密化にともなう膜密度の増大が予想されたが、今回の結果からは確認できなかった。SiN_x膜の堆積時基板温度の増加、およびファイヤースルー温度の上昇に伴い、水素含有量の減少がみられ、高温による水素脱離が大きいことが示唆される。