[20p-C101-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-C101-12] n型結晶Si太陽電池モジュール電圧誘起劣化への高レベル事前逆バイアス印加の影響

〇武 徳欽¹、Huynh Tu Thi Cam¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：結晶シリコン太陽電池、電圧誘起劣化

n型結晶Si太陽電池モジュール電圧誘起劣化(PID)への高レベル事前逆バイアス印加の影響を調査した．+1 kV、または+2 kVの逆バイアスを20 h印加した後，逆バイアス印加無しの対照試料とともに，カバーガラス表面に設置したAl板を基準として，セルに−1000 Vを印加し，PID試験を行った．+2 kVの事前逆バイアス印加によるPIDの遅延効果を予想していたが，今回の実験では，逆にPIDが加速する傾向が確認された．