[20p-C202-1~8] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[20p-C202-3] Stability of an oxygen atom near a Frank partial dislocation loops in Si crystals

〇Eiji Kamiyama^1,2, Yusuke NODA², Koji SUEOKA² (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:Silicon, Stacking Faults, First-principles calculation

As-grown Si結晶の格子間Si原子優勢領域における欠陥特性が改めて注目されており， Frank partial Dislocation Loop (FDL)の性質を理解することは重要である．本報告では，このFDL周辺におけるOiの挙動について検討した結果について報告する．