2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[20p-C202-1~8] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2022年9月20日(火) 13:30 〜 15:45 C202 (C202)

小島 拓人(名大)、須藤 治生(GWJ)

15:15 〜 15:30

[20p-C202-7] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(21) 空孔窒素複合体の熱処理挙動

井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪公立大放射線センター)

キーワード:シリコン結晶、窒素、空孔

窒素ドープにより空洞欠陥が抑制できることから空孔窒素V-N反応が注目されている。我々はFZ結晶に照射により点欠陥を導入し赤外吸収により挙動を検討している。VNN(726, 788cm-1), VVNN (688), VNs(685)吸収を発見し同定した。またas-grown FZ結晶にVVNNがNNの1/15含まれていることを見出した。以前に照射800℃熱処理によりNNが1%増加することを見出していたが、grown-inのVVNNの一部が分解していることを明らかにした。