[20p-C306-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-C306-3] 4H-SiCエピ層のハーフループアレイから拡張する二重菱形単一ショックレー型積層欠陥の合体

〇西尾 譲司¹、太田 千春¹、飯島 良介¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：単一ショックレー型積層欠陥、UV照射、フォトルミネッセンスイメージング

4H-SiCエピ層中の基底面転位が完全60°転位である場合は二重菱形の単一ショックレー型積層欠陥(DRSF)に拡張することを前回報告した。今回、ハーフループアレイから拡張するDRSFの合体現象につき、異常に速い拡張速度の原因となる構造推定を行った。