[20p-C401-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-C401-1] InGaN / GaN 量子ドットのキャリア緩和ダイナミクス

〇長谷川 孝太¹、中村 雄一¹、北見 和希¹、平野 裕哉¹、竹内 淳¹、Shulong Lu²、Xue Zhang²、Wenxian Yang² (1.早大理工、2.蘇州ナノテク研究所)

キーワード：InGaN量子ドット、キャリア緩和、トンネル時間

Stranski-Krastanovモードで成長させた自己組織化量子ドットは大きさ、形状、ドット間距離が不均一であり、発光スペクトル幅の増大や発光効率の低下という問題がある。そのため、発光特性やキャリア緩和特性の解明が重要である。そこで本実験では、InGaN量子ドットのフォトルミネッセンスを時間分解測定し、ドット間のトンネル効果によるキャリア移動を想定してキャリア緩和過程を解析した。