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[20p-C401-15] 深い不純物準位を導入したSiトンネルFETにおける室温でのスピンブロッケード
キーワード:シリコン量子ビット、量子センシング、スピンブロッケード
Si量子ビットの高温動作を目指して深い不純物準位をSi中に導入しそれを介した単一電子伝導の研究を行っている。II-VI族の不純物元素としてSおよびZnをイオン注入によりSi基板へ導入し、DLTS法により深い不純物準位の形成を確認した。素子はトンネルFET(TFET)構造の単電子トランジスタを採用した。実験の結果10Kでの明瞭な量子ビット動作や50Kまでの電子スピン共鳴、室温でのスピンブロッケードを観測した。