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△ [20p-C401-3] 希薄窒化GaNAs量子井戸とInAs量子ドットのトンネル結合における電子スピン増幅ダイナミクス；GaNAs井戸配置の影響
キーワード：量子ドット、希薄窒化物半導体、スピンダイナミクス
室温における電子スピン増幅効果が知られている希薄窒化物半導体GaNAs量子井戸をInAs量子ドットにトンネル結合させ，量子井戸配置の違いによるスピン発光特性への影響を研究した．GaNAs量子井戸をInAs量子ドットの①下部のみ②上部のみ③上下両方に配置させた3種類の試料を分子線エピタキシー法により作製し，円偏光時間分解PL測定の結果から電子スピン増幅ダイナミクスを議論する．