[20p-C401-1~16] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[20p-C401-5] Temperature Characteristics of 1550nm-Band InAs/InGaAlAs Quantum Dot Lasers
with p-type Doping

〇Ryota Yabuki¹, Atsushi Matsumoto², Ryumi Katsuhara¹, Takumi Takahashi¹, Kouichi Akahane², HEINSALU Siim¹, Yuichi Matsushima¹, Hiroshi Ishikawa¹, Katsuyuki Utaka¹ (1.Waseda University, 2.NICT)

Keywords:Quantum Dot

我々は低閾値や良好な温度特性といった特徴を持つ量子ドット(QD)レーザにおいて、1550nm帯InAs/InGaAlAs QDレーザにおいて高温安定動作を目的としたpドーピングの効果ついて検討を行ったので報告する。