[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-12] ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いたＧａＮ薄膜の作製と評価に関する研究

〇桑原 翔太¹、佐藤 裕喜¹、大鉢 忠¹、吉門 進三¹ (1.同志社大院理工)

キーワード：窒化ガリウム、薄膜、スパッタ

本研究では，直接遷移型ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム (GaN)の 薄膜を，製膜速度が比較的速く，大面積に製膜可能な薄膜作製方法である RF マグネトロンスパ ッタを用いて，粉末ターゲットを使用して，成膜してきた。しかし，膜質は良好ではなく，またターゲットに Si を添加した場合も，抵抗率の低下が見られず，伝導型の制御が困難であることが分かった。一方，市販されているGaN 単結晶は不純物を添加しない内因性半導体にしては比抵抗が著しく小さく，外因性半導体と大きな差が無いのが極めて奇異であった。そこで，本研究では， Si を添加した単結晶ウェハをターゲットして，RF マグネトロンスパッタを用いて成膜を行い，伝導型制御の可能性と，結晶性の改善方法について検討したので報告する。